王圩

1937年12月25日，王圩出生于河北省廊坊市文安县。

1960年，从北京大学物理系半导体物理专业毕业，到中国科学院半导体研究所工作，先后担任半导体所学术委员会副主任、光电子中心副主任。

1987年，赴日本东京工业大学访问研究一年。

1988年，担任中国科学院半导体研究所研究员。

1997年，当选为中国科学院院士。

2023年1月26日，王圩因病医治无效，在北京逝世，享年86岁。

王圩科研成就

科研综述

王圩早期从事无位错硅单晶和Ⅲ—Ⅴ族化合物异质结液相外延研究，为使中国砷化镓基激光器从液氮温度提高到室温工作做出了贡献。1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究，其中代表性成果包括应变层多量子阱分布反馈激光器、反位相增益耦合型分布反馈激光器及其与扇形放大器单片集成的主振功放器件等。

学术论著

根据2021年8月何梁何利基金网站显示，王圩先后发表相关论文99篇。

承担项目

婚姻家庭

王圩和夫人吴德馨都是20世纪60年代初大学毕业，学的都是半导体，一毕业就都分到了中科院半导体研究所。王圩1960年大学毕业，吴德馨1961年大学毕业，吴德馨于1991年当选为中国科学院学部委员（院士）。

王圩为中国光纤通信用半导体光电子器件的发展做出了贡献。（中国科学院评）

王圩为中国半导体光电子科技事业及其产业化发展做出的系统性和创新性的突出贡献，勇于创新、锐意进取的科学精神，爱国奉献、平易近人的高尚品德，以及为国家科学思想库功能发挥和在青年科技人才培养方面取得的突出成绩。（2017年12月24日中国科学院院长、党组书记白春礼在贺信中评）

王圩院士的一生，是无私奉献的一生，是光荣伟大的一生，他对国家和人民无限忠诚，将毕生精力奉献给了我国科技与教育事业。他富有远见卓识和开创精神，以国家的重大需求为目标，为我国的半导体事业作出重大贡献。他严于律己，克已奉公，治学严谨，为人谦和。他的业绩和品德，为中国科技事业树立了一座不朽的丰碑，他崇高的科学精神和道德风范永远值得我们学习和敬仰！（王圩院士治丧委员会评）

王圩院士从事科研工作60周年

2017年12月24日，中国科学院半导体研究所学术会议中心举行王圩院士从事科研工作60周年暨DFB组成立30周年学术交流会。